화학뉴스

바스프(BASF)가 성균관대학교에 전자소재 아태지역 R&D(연구개발) 센터를 설립한다.
바스프는 벨기에에서 열린 <2013 유럽 투자유치식>에서 성균관대와 R&D센터 설립에 관한 협력 의향서를 체결하고 아시아‧태평양지역 전자소재 연구의 통합허브 역할을 담당할 예정이다.
바스프 로타 라우피클러 수석부사장은 “전자소재 아태지역 R&D센터를 통해 바스프가 보유한 전자소재 분야의 세계적인 전문성과 연구 인력들의 최신 연구를 한국의 연구와 접목할 수 있게 됐다”며 “고객들에게 보다 신속하게 혁신기술을 선보여 시장을 주도할 것”이라고 말했다.
전자소재 아태지역 R&D센터는 정밀‧공정 화학제품, 무기소재 뿐만 아니라 반도체, 디스플레이, LED(Light Emitting Diode) 등 연구에 주력하며 전자기술에 다양한 혁신 솔루션을 선보일 계획이다.
성균관대학교 자연과학 캠퍼스에 설립돼 2014년부터 약 40여명이 기술개발 및 연구를 시작할 예정이다.