반도체 세정은 반도체 공정의 30-40%를 차지하고 있으며 대부분 실리콘웨이퍼(Silicon Wafer) 세정에 사용되고 있다. 세정공정은 웨이퍼나 평판디스플레이 표면에 반도체 패턴이나 도선 패턴 등을 생산하는 공정에서 고순도 화학제품을 사용해 금속계 오염물질이나 입자를 제거하는 작업을 일컫는다. LCD(Liquid Crystal Display) 공정에서 핵심 세정공정은 Alignment Film Coating, Rubbing 공정 전·후에 시행되고 있다. 세정장비는 반도체용 클리너(Cleaner) 및 LCD용 세정시스템, 글래스 에칭(Glass Etching) 등으로 Fab 공정에서 에칭 및 세정에 사용되고 있으며 대부분 일본에서 수입하고 있으나 국산화 개발로 수입제품을 대체하고 있다. 반도체 세정은 대부분 습식세정으로 브러시와 초음파의 미세한 떨림을 이용한 물리적 방법, 전기분해 이온수, 유기용매, 중성세제, 화학 세정액을 채용해 세정하고 있다. 습식세정은 폐수비용 및 환경오염 부담이 작용하고 있어 건식세정 전환을 시도하고 있으나 약 10년 동안 기술적인 문제로 지연되고 있다. 건식세정은 UV·O3, 플라즈마(Plasma), 극저온 CO2 등을 이용해 개발하고 있다. 건식 초음파 기술도 국내 기술이 제한돼 응용장비를 수입하고 있어 국산 세정장비 도입이 시급히 요구되고 있다. 표, 그래프: <반도체 제조공정 및 발생물질><반도체 제조공정 비중><세정공정별 에너지 절감 비교> <화학저널 2013년11월 25일> |
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[반도체소재] 반도체세정, 건식세정 전환 “제자리걸음” | 2014-03-21 |
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