화학뉴스

SK하이닉스(대표 박성욱)는 <실리콘 관통 전극(Through Sililcone Via)> 기술을 적용한 초고속 메모리(High Bandwidth Memory) D램을 개발했다고 12월26일 발표했다.
TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기신호를 전달하는 패키지 방식으로 데이터 처리 성능을 높이면서 크기는 줄인 차별제품이다.
TSV 기술을 적용한 D램은 고사양 그래픽을 구현하는데 주로 사용되며 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 것으로 기대되고 있다.
또 고성능·저전력·고용량으로 1.2V 동작 전압에서 1Gbps의 처리속도를 낼 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB 데이터 처리가 가능한 것으로 알려졌다.
현재까지 처리속도가 가장 빠른 반도체는 초당 28GB로, 4배이상 빠르고 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이다.
SK하이닉스는 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 쌓는데도 성공했다. 기술검증을 위해 그래픽 전문기업 AMD와 공동개발한 것으로 알려졌다.
SK하이닉스는 2014년 상반기에 샘플을 제작하고 하반기에는 HBM을 SoC(System-on-Chip)과 함께 탑재해 하나의 시스템을 이루는 SiP(Systen-in-Package) 형태로 공급할 예정이다.
SK하이닉스 홍성주 D램 개발본부장은 “TSV 기술을 활용한 HBM을 2014년 상용화하는 것을 시작으로 포트폴리오를 더 강화해 메모리 시장에서 주도권을 확보하겠다”고 강조했다.