화학뉴스

국내 연구진이 환원 그래핀(Graphene) 산화물을 이용해 내구성과 정보저장능력이 뛰어난 투명 메모리소자를 개발했다.
차세대 투명 전자기기를 개발하는 기반기술이 될 것으로 기대된다.
미래창조과학부는 고려대학교 전기전자전파공학과 김태근 교수와 김희동 박사가 환원 그래핀 산화물의 우수한 전기 광학적 특성을 살려 가시광선을 80% 이상 투과시키는 투명 메모리소자 제작기술을 개발했다고 4월23일 발표했다.
연구팀은 환원 그래핀 산화물을 이용해 초기 포밍과정을 거치지 않아도 저항 스위칭이 가능할 뿐만 아니라 다중 정보 저장기능을 갖는 투명 저항변화 메모리(ReRAM)를 구현했다.
김태근 교수는 “투명 저항변화 메모리는 투명 노트북 등 대용량 정보저장능력이 필요한 미래 전자소자의 핵심기술로 활용될 것”이라고 말했다.
투명 메모리 소자는 초기 포밍과정 없이도 전류비가 10만에 달하며 1개 소자에서 00, 01, 10, 11의 4가지 정보를 저장할 수 있는 멀티레벨 특성을 지니는 것으로 알려졌다.
김희동 박사는 “투명 메모리 소자는 10만회에 걸친 내구성 시험에서 안정적인 성능을 보였고 85℃에서 10년 동안 사용할 수 있다”고 강조했다.