삼성전자, 시안반도체 5월9일 준공
총 100억달러 이상 투자 … 10나노 및 3D V낸드플래시 메모리 생산
화학뉴스 2014.05.08
삼성전자(대표 권오현)의 중국 Xian 반도체공장이 5월9일 준공식을 열고 본격적인 생산을 시작한다.
김기남 삼성전자 메모리사업부 사장은 5월7일 서울 서초동 삼성전자 사옥에서 기자들과 만나 “Xian 공장 준공식을 위해 5월8일 출국한다”고 말했다. 삼성전자는 중국 Xian공장에서 10나노 낸드플래시를 비롯해 3D V낸드플래시 메모리를 생산할 예정이며 총 100억달러(약 10조4000억원) 이상의 투자를 단행할 것으로 알려졌다. 초기투자 금액이 이미 50억달러를 넘어섰으며 중국 세관을 통과해 Xian공장으로 반입된 생산설비가 24억달러에 달하는 것으로 나타났다. 또 생산라인과 부대시설 건설에 23억달러를 투자했으며 낸드플래시 후공정 공장 설립에 5억달러를 추가 투자할 예정이다. 삼성전자 관계자는 “중국 Xian공장에서 본격적인 생산을 시작한 이후 단계적으로 투자를 늘려 100억달러 이상을 투입할 계획”이라고 말했다. 한편, 삼성전자는 2014년 1/4분기 영업실적 발표에서 반도체 부문은 계절적인 비수기 영향으로 매출액이 9조3900억원으로 소폭 감소한 것으로 나타났다. <화학저널 2014/05/08> |
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