화학뉴스

다우코닝(Dow Corning)은 기기의 결함에 대한 새로운 허용오차를 명시한 등급체계를 도입했다.
새로운 등급체계는 100mm SiC(Silicon Carbide) 웨이퍼의 프라임급 포트폴리오에 조립되는 차세대 전기전자기기 디자인의 설계범위, 성능, 비용 등을 최적화하기 위한 것이다.
다우코닝은 프라임급 포트폴리오를 기판의 품질에 따라 프라임 스탠다드(Prime Standard), 프라임 셀렉트(Prime Select), 프라임 울트라(Prime Ultra) 3등급으로 분류해 제공할 계획이다.   　            　                     
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFETs), 접합형 전기장 효과 트랜지스터(JFETs), 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBTs), 양극성 접합 트랜지스터(BJTs), PIN 다이오드와 등 차세대 스위칭 소자.
3.3 kV이상의 고압 및 대전류 장비설계에 유리
자료) 다우코닝            
 그렉 장크(Gregg Zank) 다우코딩 대표는 “와이드 밴드갭 반도체 기술을 통해 고품질을 제공해야 한다”며 “다우코닝이 최초로 시도한 SiC 웨이퍼 등급체계는 세계 유수의 전기전자 반도체 소자 생산기업들과 협력한 결과”라고 말했다.
새로운 등급체계는 SiC 웨이퍼의 결함 밀도와 주요 특성에 대해 보다 세밀한 허용 오차를 제시하기 때문에 수요처가 특정소자의 적용수요에 따라 품질과 가격의 균형을 정확하게 맞출 수 있다는 장점이 있다.
대부분의 SiC 기판 생산기업들이 낮은 마이크로파이프 밀도를 제공하는 반면 다우코닝은 TSD(Threading Screw Dislocations), BPD(Basal Plane Dislocations)와 같은 치명적인 결함에 대한 낮은 허용오차를 구체적으로 명시하고 있는 것으로 알려졌다.