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삼성전자(대표 권오현)는 집적도를 높일 수 있는 2세대 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리 <32단 3D V낸드 메모리>를 세계 최초로 생산한다고 6월3일 발표했다.
3D V낸드 메모리는 2013년 첫 선을 보인 24단 적층구조의 1세대 3D V낸드에 비해 셀 적층 수를 32단으로 30% 이상 높인 것으로 알려졌다.
3D V낸드 메모리는 신규 설비투자 없이 기존 1세대 설비를 활용해 양산할 수 있을 뿐만 아니라 적층 수를 높이는 것만으로 집적도를 끌어올릴 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있을 것으로 기대되고 있다.
기존 낸드플래시는 40년 전에 개발된 단층 셀 구조로 이루어져 있어 셀 간격을 좁힐 때 발생하는 간섭현상 때문에 미세화 기술이 한계에 도달한 상태이다.
삼성전자는 단층으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아올리는 구조적인 혁신을 통해 간섭현상을 해결하고 2013년 8월부터 세계 최초로 새로운 구조의 3D V낸드 메모리 생산을 시작했다.
삼성전자 관계자는 “2세대 3D V낸드 메모리 생산과 동시에 이를 적용한 프리미엄 PC용 SSD(Solid State Drive)를 출시한다”며 “3D V낸드를 적용한 PC용 SSD는 기존 평면구조 SSD에 비해 신뢰도와 수명은 2배 늘리면서 전력 소비량은 20% 절감할 수 있다”고 강조했다.