동부하이텍(대표 최창식)은 스마트폰 핵심부품인 전력반도체 제조에 최적화된 새로운 공정기술을 개발했다고 7월21일 발표했다.
동부하이텍이 개발한 새로운 제조공정 기술은 0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정을 기반으로 최근 Qualcomm 등 반도체 설계 전문기업(팹리스)들이 전력반도체 설계 과정에서 칩 크기 최소화에 주력하는 추세를 반영한 것으로 알려졌다.
동부하이텍 관계자는 “팹리스들이 전력반도체의 칩 크기를 기존 0.18미크로엔서 0.13미크론으로 미세화하는데 주력하고 있다”며 “동부하이텍은 전력반도체의 미세화 흐름에 맞추어 새로운 공정기술을 개발함으로써 파운드리 시장을 선점할 것”이라고 말했다.
스마트폰 핵심부품인 Application Processor(AP)와 Base Band-chip에게 전력을 공급하는 전력반도체는 통상적으로 대당 7-8개 가량 탑재되는 것으로 알려져 시장 성장성도 높은 것으로 판단되고 있다.
동부하이텍 관계자는 “AP 및 Base Band-chip용 전력반도체는 다양한 기능을 보유해 칩 크기가 커 개당 가격이 2달러 수준으로 다른 전력반도체에 비해 고가”라며 “성장성이 높은 고부가가치분야를 적극 공략해 지속적인 성장을 이루어나갈 것”이라고 강조했다.
IHS에 따르면, 스마트폰 및 태블릿PC용 전력반도체 시장은 2013년 24억달러에서 2014년 약 30억달러로 성장하고 2017년까지 연평균 10%의 높은 성장률을 지속할 것으로 나타났다.