삼성전자, 90나노 공정기술 개발
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삼성전자는 IT(정보기술) 산업의 핵심이 될 System on Chip(SoC) 반도체의 동작속도를 개선하고 초소형화에 필요한 90㎚(1㎚=10억분의 1ｍ) 공정기술을 개발, 반도체 나노공정 시대를 열었다고 5월28일 밝혔다. 90㎚ 공정기술은 기존의 미세 공정기술인 0.13㎛(미크론) 공정과 비교하면 동작속도는 30% 향상되고 칩 크기는 50%가량 축소할 수 있다. 개발한 공정기술은 1.0V의 저전압에서 동작하는 90㎚ 크기의 미세한 트랜지스터에 구리 다층배선공정을 적용한 것으로 SoC 제품의 속도를 높이고 저전력화에 기여하게 된다. 삼성전자는 신기술을 2004년부터 주력사업인 휴대기기용 중앙처리장치(CPU)와 SoC 제품 양산에 우선적으로 적용하고 마이크로프로세서, 모바일칩 등 비메모리반도체인 시스템LSI 전 분야로 확대할 계획이다. 삼성전자는 신기술을 바탕으로 초고속 공정과 저전압 공정은 물론 메모리 내장공정 등 90㎚공정의 전략적 포트폴리오를 2003년까지 갖출 예정이다. 한편, SoC는 여러가지 반도체 칩을 하나의 칩에 집적화·시스템화하는 기술로 디지털기술과 제품의 융합을 위해서는 나노기술의 확보가 필수적이다. <Chemical Daily News 2002/05/30> |
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