다우코닝, 차세대 박막기술 특허 획득
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저유전율 반도체 제조용 신기술 미국특허 출원 … 산소가스에 반응 다우코닝(Dow Corning)이 저유전율(Low-K) 반도체 제조용 차세대 박막기술로 미국 특허를 획득한 것으로 알려졌다.다우코닝의 첨단 기술 및 벤처 비즈니스 사업부는 저유전율의 SiC(Silicon Carbide)와 H:SiOC(Hydrogenated Silicon Oxycarbide) 박막 제조용 신기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 발표했다. PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 사용하는 신기술은 실리콘 결합을 팽팽하게 만드는 고리형 실란 화합물로 공급되는 산소가스에 반응하도록 돼 있다. 최근 칩 생산기업들은 트랜지스터 간의 전기 간섭을 줄이기 위해 저유전율 인슐레이팅 소재를 사용하고 있는데 트랜지스터를 서로 가까이 두게 되면 파워 효율성이 높은 작고 빠른 칩의 제조가 가능한 것으로 나타났다. 그러나 반도체 디바이스의 크기가 계속 줄어드는 흐름에 따라 기존의 저유전율 필름은 높은 공정 온도로 인해 문제를 일으키는 사례가 빈번해 칩 연결용 금속 레이어와의 접착력이 약해지기 시작했다. 이에 따라 다우코닝은 새로운 저유전율 공정이 차세대 칩의 층간 유전체(Interlayer Dielectrics) 생산에 적용될 것으로 기대하고 있다. 시작점은 32나노미터 테크 노드이다. 다우코닝의 전자 및 첨단 기술 사업부 글로벌 이사인 예론 블롬하르트는 “특허를 통해 다우코닝의 실리콘 기술력이 지속적인 향상을 보이고 있음을 다시 한번 입증했으며 IP 보호도 더욱 강화할 수 있게 됐다”면서 “다우코닝은 실리콘 소재기업에서의 선도적인 입지를 기반으로 앞으로 시장의 요구를 만족시키도록 연구 및 개발에 지속적으로 투자할 것이다”라고 밝혔다. <화학저널 2007/08/30> |
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