삼성전자, 30나노급 D램 상업생산
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2Gb DDR D램 하반기 본격 양산 … 생산성 60%에 원가경쟁력 높아 D램 시장의 최강자 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 D램 개발에 성공했다.삼성전자는 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 1월 개발했으며 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 2월1일 발표했다.
또 30나노급 D램은 50나노급에 비해 소비전력을 약 30% 가량 줄일 수 있으며, 40나노급에 비해서는 15% 이상 소비전력이 적은 것으로 알려졌다. 개발기간도 2009년 1월 40나노급 D램을 개발한 지 1년만으로 50나노급을 개발한 이후 40나노급 개발까지 2년4개월이 걸렸던 것을 고려하면 개발기간이 대폭 단축된 것으로 평가받고 있다. 삼성전자 관계자는 “D램의 셀 구조상 현재 생산공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔으나 40나노급 D램 개발 1년만에 한계를 극복해냈다”고 설명했다. 이미 2009년 12월 30나노급 2Gb DDR D램 단품과 노트북용 3GB(기가바이트) 모듈 샘플을 수요처에 보내 1월 중순까지 평가를 마친 상태이다. 삼성전자는 서버 솔루션으로는 1.35V 전압에서 1.6Gbps(초당 1.6기가비트)인 제품을, PC 솔루션으로는 1.866Gbps 제품까지 공급할 계획이다. 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌려놓음으로써 시장점유율을 지속적으로 확대해나갈 것”이라고 밝혔다. <화학저널 2010/2/1> |
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