화학뉴스

세계적인 LED(Light Emitting Diode) 조명 기술 및 솔루션 개발기업인 브릿지룩스(Bridgelux)와 반도체 생산기업 도시바(Toshiba)가 공동협력 협정을 체결한 후 불과 몇개월 만에 최고 수준의 8인치 GaN-on-Silicon LED 칩을 구현하는데 성공했다고 5월21일 발표했다.
개발한 LED 칩은 1.1mm² 크기로 614mA, 350mA에서 3.1V 미만의 우수한 성능을 제공한다.
브릿지룩스와 도시바는 세계 LCD 패널과 조명 시스템 시장 성장으로 수요가 증가하고 있는 LED 칩에 대한 개발 노력을 더욱 가속화할 방침이다.
도시바는 SSL(Solid State Lighting) 영역에서 양사가 공동으로 혁신적 기술을 확보할 수 있도록 브릿지룩스의 지분에도 투자했는데, 도시바의 반도체 공정 및 기술개발 역량을 기반으로 브릿지룩스의 GaN-on-Silicon LED 칩 기술 개발 역량을 더욱 향상시킬 것으로 기대하고 있다.
브릿지룩스의 Bill Watkins CEO는 “도시바와 브릿지룩스는 기술개발을 위해 협력하고 있으며, 지분투자는 양사가 일반조명 시장을 겨냥해 SSL 솔루션의 코스트를 낮추겠다는 공동의 목표를 달성할 수 있도록 전략적 관계에 한걸음 더 다가서게 할 것”이라고 강조했다.
LED는 보통 사파이어 또는 탄화규소(Silicon Carbide) 기판을 출발 원료로 사용하나 실리콘에 비해 가격이 비싸 생산비용이 높아짐으로써 가정 및 상업용 빌딩의 LED 조명 보급 확대에 걸림돌이 되고 있다.
그러나 저렴한 대형 실리콘 웨이퍼 상에서 질화갈륨(GaN)을 성장시키는 기술을 활용하면 최신 반도체 제조에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 현재 이용되고 있는 방식보다 코스트 측면에서 75% 가량 개선이 가능한 것으로 나타나고 있다.
한편, 브릿지룩스는 미국 캘리포니아 리버모어에 본사를 두고 있는 반도체 조명(Solid State Lighting)의 개척자로 발광다이오드(Light-Emitting Diode) 조명 시스템의 코스트를 감축에 노력하고 있다.
또 세계적으로 600개 이상의 특허를 보유하고 있으며 조명에 특화된 솔루션을 설계하는 수직통합형 LED 생산기업이자 반도체 광원 개발기업이다.