10나노급 128Gb 메모리 생산 돌입 … 대용량 스토리지 경쟁력 향상
화학뉴스 2013.04.11
삼성전자(대표 권오현·신종균·윤부근)는 4월부터 고성능 10나노급 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리를 본격 양산하고 있다고 4월11일 발표했다.
![]() 2012년 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산한지 5개월 만에 2배 용량의 낸드플래시 양산에 들어간 것이라고 삼성전자는 강조했다. 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 고속 인터페이스를 적용한 최고수준의 고성능제품으로 알려져 있다. 삼성전자는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시 양산으로 대용량 내장 스토리지와 SSD(Solid State Drive) 시장을 본격 확대해 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 빠르게 전환시켜 나갈 계획이다. 삼성전자는 2010년 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드플래시 양산에 들어갔으며, 해당제품을 2012년 9월 출시한 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB(기가바이트) 이상 대용량 SSD 시장을 크게 확대시켰다. 양산에 들어간 128Gb 3bit MLC 낸드플래시는 128GB 메모리카드 시장과 500GB 이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화 시대를 앞당기는데 기여할 것으로 전망된다. 삼성전자 메모리사업부 전영현 부사장은 “고성능 128Gb 낸드플래시 양산으로 대용량 스토리지 시장에서 경쟁력을 더욱 강화했다”며 “차세대 메모리제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다. <화학저널 2013/04/11> |
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