화학뉴스

국내 연구진이 차세대 반도체 기판을 제작하는 핵심 기술 개발에 성공했다.
전북대는 반도체과학기술학과 최철종·심규환 교수팀이 실리콘(Si) 반도체 기판 위에 게르마늄(Ge) 에피 층을 씌우는 GOS(Ge-on-Si) 에피 기판을 개발했다고 4월22일 발표했다.
에피는 반도체 소자를 제조과정에서 기판 위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것을 말한다.
에피 기판 개발은 기존 실리콘 기판에 게르마늄 기판의 우수성까지 더한 기술로 전자의 이동도가 매우 높으면서도 표면과 저항의 균일도가 우수한 것으로 알려졌다.
이에 따라 앞으로 CPU, 모바일프로세서 등 성능이 우수한 메모리·비메모리 반도체 칩의 광범위한 생산에 도움이 될 뿐만 아니라 자체 제작한 장비로 신기술 개발에 성공함에 따라 관련 장비의 국산화에 기여할 수 있을 것으로 기대되고 있다.
반도체물성연구소장 최철종 교수는 “외국은 IBM, Intel 등 주요기업 및 연구기관이 게르마늄(Ge) 기반의 차세대 CMOS 기술개발에 적극 나서고 있는 반면 국내기업과 연구기관은 아직 실리콘 반도체에만 주력하고 있다”며 “신기술을 통해 GOS 에피 기판의 국산화 및 수출 등이 기대됨에 따라 반도체산업 강국으로서 위상을 더욱 높일 수 있을 것”이라고 강조했다.