화학뉴스

JSR은 차세대 리소그라피 기술인 EUV(Extreme Ultra Violet) 프로세스용 고감도 레지스트를 개발했다.
EUV는 파장이 13.5나노미터 수준으로 기존 ArF(불화아르곤)에 비해 광자 발생수가 현저히 적어 레지스트의 고감도화의 발목을 잡아왔으며 감도 향상과 패턴 품질이 반비례관계에 있어 해결이 어려웠다.
JSR은 특수 증감제를 사용함으로써 감도를 기존에 비해 20% 개선했고 LWR(Line Width Roughness)도 억제하는데 성공했다.
반도체 프로세스는 선폭 20나노미터대에서 10나노미터대로 미세화가 진행되고 있으나 10나노미터 이하를 구현하기 위해서는 파장 193나노미터의 ArF 액침프로세스를 5-6회 다중 노광해야하기 때문에 생산 코스트가 폭등하는 단점이 있다.
EUV 프로세스는 현재 광원출력이 40W 수준에 불과해 대량생산에 필요한 250W에 크게 미치지 못하고 있다.
광원출력을 개선할 수 있는 유효한 수단으로 레지스트 감도 향상이 주목되고 있다.
JSR은 화학증폭형 EUV 레지스트를 활용해 감도 36-37㎠, 배선폭/배선간격 16나노미터의 미세 패턴을 구현했으나 개선 가능성이 많아 추가연구를 실시한 끝에 극적으로 감도를 향상시키는 증감제 개발에 성공해 감도를 20% 가량 추가 개선했다.
JSR은 EUV 레지스트의 선결과제였던 산을 발생시켜 확산영역을 억제하는 기술과 미세화에 따른 레지스트 패턴이 붕괴되는 것을 방지하는 기술 등을 적용해 감도를 향상시키는 동시에 LWR과 레지스트 선폭을 기존수준으로 유지하는데 성공한 것으로 나타났다.
JSR은 EUV 노광기 대량생산 기계 개발에 맞추어 2015년 감도 20MJ, 선폭 13나노미터, LWR 2나노미터 이하를 실현할 방침이다.