ASML, 웨이퍼 처리능력 1000장 노광기 구현 … 선폭 미세화 추진
화학뉴스 2015.02.26
차세대 리소그라피인 EUV(Extreme Ultra Violet) 노광기술 개발이 가속화되고 있다.
네덜란드 ASML은 24시간 이내에 웨이퍼 1000장을 처리할 수 있는 노광기를 개발하고 있으며 기존에 비해 성능이 2배 이상 개선된 것으로 2015년 개발을 완료할 계획이다. 반도체 제조기술과 생산효율 개선을 추진하고 있는 미국의 SEMATECH도 2015년에 선폭 8나노미터 이하 해상도를 출시할 계획이다. 실용화의 최대 난관인 처리능력과 해상도가 계획대로 구현되면 한국의 전자소재 관련기업에게 끼치는 영향이 클 것으로 예상되고 있다. EUV 프로세스 개발계획은 당초 예상보다 3년 가량 지연되고 있으며 특히, 반도체는 도입계획을 근본적으로 수정해야하는 것으로 알려졌다. 광원 개발이 점차 지연되면서 처리능력이 향상되지 않는 것이 가장 큰 문제로 지적되고 있다. ArF(불화아르곤)는 성능개선이 지속적으로 이루어져 선폭 10나노미터도 충분히 커버할 수 있는 것으로 알려지고 있다. 이에 따라 EUV 프로세스는 10나노미터 이하의 미세 패턴용으로서 한층 더 높은 성능이 요구되고 있다. 유일한 EUV 노광기 대량생산 계획을 추진하고 있는 ASML은 2015년 24시간 동안 1000장의 웨이퍼를 처리하는 노광기를 개발할 계획으로 벌서 메모리 관련기업들이 도입의사를 밝히고 있다. ASML은 2016년 1500장을 처리할 수 있는 노광기 개발을 목표로 설정하고 있다. 처리능력을 개선하기 위해서는 고출력 광원 개발이 필수적인 것으로 알려지고 있으나 현재 출하되고 있는 광원은 40W로 시험단계도 80W에 불과한 실정이다. 목표 출력 250W를 어떻게 달성할 것인지 여부가 선결과제로 부상하고 있다. 미국 SEMATECH은 2015년 개구도 0.5 노광장치를 사용해 선폭 8나노미터 이하의 해상도를 실현할 계획이다. 뿐만 아니라 선폭 8나노미터를 달성하기 위해 아웃가스(Out Gas)를 억제한 레지스트와 무결점 EVU 마스크 블랭크스(Mask Blanks) 개발도 진행하고 있는 것으로 알려졌다. SEMATECH은 선폭 3-7나노미터를 실현하기 위해 EUV프로세스 뿐만 아니라 실리콘(Silicon)을 대체하는 신소재와 새로운 구조 개발에도 착수했다. <화학저널 2015/02/26> |
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