나노기술로 반도체 한계 “극복”
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KAIST, 반금속성 나노선 개발 … 소형 고집적 전자소재 생산 가능 국내 연구진이 극미세화로 성장이 더디게 이루어지고 있는 반도체 분야를 활성화 시킬 수 있는 기술을 개발했다.교육과학기술부는 21세기 프론티어사업 나노소재 기술개발사업단의 지원을 받는 KAIST 김봉수 교수가 원하는 전류신호만을 조절할 수 있는 절반금속 나노선을 개발했다고 발표했다. 새로 개발된 나노선은 실리콘(Silicone)과 금속을 합성해 만든 물질로 금속의 전도성과 실리콘의 반도체성을 동시에 가지고 있는 것이 특징이다. 나노선은 규화철(FeSi)에 산소 열확산을 이용해 코어를 만든 후 에칭을 거쳐 나노 굵기의 규화철(Fe3Si)로 만들어지는 것으로 알려졌다. 시장에서는 나노선을 이용해 초소형 메모리칩 또는 자기저항센서 개발이 가능할 것으로 기대하고 있다. 정부 관계자는 “실리콘은 반도체 특성이 좋으나 금속성이 부족해 소형화와 효율의 한계를 지닐 수밖에 없었다”며 “하지만, 나노선은 금속성과 반도체성을 동시에 갖추고 있기 때문에 고성능 및 고집적, 저전력 전자소재 개발에 유용하게 쓰일 수 있다”고 강조했다. 절반금속은 한 방향 회전성을 갖는 전자에 대해서는 전도체로 작용하고, 반대방향 회전성을 갖는 전자에는 절연체로 작용한다. <이명주 기자> <화학저널 2010/08/24> |
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