회로 선폭 7나노미터에 대응 … SDAP 업그레이드 버전 개발도 추진
화학뉴스 2015.11.12
Tokyo Ohka Kogyo는 2017년을 목표로 차세대 EUV(극자외선) 리소그래피용 반도체 레지스트를 출하할 예정이다.
차세대 EUV 리소그래피용 반도체 레지스트는 회로 선폭 7나노미터에 대응할 수 있으며, 2016년 양산화에 돌입할 방침이다. 기존 ArF(불화아르곤) 액침 레지스트는 보다 미세한 프로세스까지 연명할 수 있는 공정 기술 개발에 박차를 가하고 코스트와 기능을 양립하는 다중노광 및 유도자기조직화(DSA) 실현을 위해 소재 개발에도 주력하고 있다. Tokyo Ohka Kogyo가 개발한 EUV 리소그래피용 반도체 레지스트는 개구도 0.33의 반도체 노광기를 활용해 선폭 13나노미터에 대응할 수 있게 됐다. 반도체기업의 양산 시기에 맞추어 화학 증폭형으로 최대한의 미세화 작업을 추구하고 있다. 고가의 반도체 노광기를 도입하지 않고 해외 연구개발 기관과 협력하는 방안을 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 앞으로는 비화학 증폭형 등 새로운 플랫폼 개발도 추진하면서 2018년 이후의 출하를 목표로 한다. ArF 액침 레지스트의 연명 기술개발에도 주력한다. EUV 노광기는 개발이 지연되고 있는 만큼 기존 ArF 리소그래피의 연명 수요가 높아지고 있기 때문이다. 반도체 노광기 제조기업들은 다중노광에서도 생산성 향상을 위한 웨이퍼 처리속도의 고속화를 추진하고 있기 때문에 레지스트도 패턴 결함을 억제하는 등의 업그레이드기 요구되고 있다. 이에 따라 액침수의 접촉각도를 높이거나 폴리머 분산성을 향상시키는 등의 대책을 추진하고 있다. Tokyo Ohka Kogyo는 독자 미세화 기술 <SDAP(Spacer Alignment Double Patterning) 프로세스>의 업그레이드 버전도 개발하고 있다. ArF 액침 노광기를 사용해 포토레지스트 기반이 되는 패턴을 구축한 후 산을 포함한 약제를 도포하는 방식으로 가열처리를 하지 않은 상태에서 별도 약제를 도포한 후 가열 처리하고 유기용제를 통해 현상 처리함으로써 포토레지스트의 보호기를 일부 벗겨 패턴을 미세화 한다. SDAP 프로세스는 약액만으로 처리하기 때문에 수요처에게 있어서는 고가의 마스크를 적게 사용할 수 있다는 이점이 있으며, 엣징 내성이 높을 뿐만 아니라 코스트 절감에도 기여한다. 이미 반도체 메이저들과 실용화를 위한 협업을 시행하고 있는 것으로 알려졌다. EUV 프로세스에 적용하는 것을 검토하고 있는 DAS의 기술 개발과 실리콘을 함유하고 있는 새로운 블록 코폴리머를 개발도 추진하고 있다. <L> <화학저널 2015/11/12> |
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