화학뉴스

국내 연구진이 유연한 차세대 반도체 메모리의 성능을 손쉽게 2배 이상 높일 수 있는 기술을 개발했다.
교육과학기술부와 한국연구재단은 박철민 연세대 교수와 황선각 박사과정생이 참여한 연구팀이 차세대 강유전체 메모리에 가하는 전압을 조절해 셀당 4가지 이상의 정보를 담는 방법을 찾아냈다고 12월3일 발표했다.
강유전체 메모리는 속도가 빠르고 정보가 지워지지 않아 차세대 반도체로 주목받고 있다.
박철민 교수팀은 전압의 크기를 변화시켜 강유전체 고분자의 분극(전기 양극)을 조절할 수 있다는 사실을 규명하고 해당원리를 이용해 유연한 멀티레벨(Multi Level) 반도체의 성능을 높이는데 성공했다.
멀티레벨 반도체는 2개 상태만 기록(정보량 1비트)하는 고분자 메모리와 달리 4가지(정보량 2비트) 이상의 상태를 기억한다.
박철민 교수는 “연구로 세계 선진기업이 주목하는 유연한 고분자 메모리 소자의 성능 향상 기술을 확보했다”고 밝혔다.
연구성과는 재료과학 분야의 권위지인 Advanced Materials의 최신호 내부 표지논문으로 게재됐다.