TEL, 64MB 메모리 한정공급 … SK하이닉스도 2013년 샘플 출하
화학뉴스 2012.12.06
차세대 메모리로 주목받고 있는 M램(Magnetic Random Access Memory) 개발이 가속화하고 있다.
M램은 고속동작이 가능하고 전원이 없어도 데이터를 유지할 수 있는 불휘발성 메모리로 각광받았지만 저소비 전력화가 과제로 지적됨에 따라 M램의 개량판인 STT(Spin Transfer Torque)-M램이 대두되고 있다. STT-M램은 저소비 전지로 판독속도가 빨라 10나노미터 이하의 초미세 프로세스로 회로집적이 가능한 것으로 알려졌다. 일본 TEL(Tokyo Electron Group)은 STT-M램의 한정출하를 시작했으며 벨기에 IMEC(Interuniversity Micro Electronics Center)는 TEL, Canon Anelva와 공동으로 대용량 STT-M램을 개발하고 있다. 가장 일반적으로 보급되고 있는 D램은 고속 및 대용량의 특성을 가지고 있지만 휘발성 메모리이기 때문에 백업이 필수적이나 M램은 갑작스런 정전에도 데이터를 유지할 수 있을 뿐만 하니라 D램 수준의 고속동작이 가능하고 메모리 셀이 트랜지스터 1개와 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 소자로만 구성되기 때문에 대용량화에도 적합한 것으로 알려졌다. TEL의 전자디바이스 판매기업인 Panelectron은 미국 Freescale Semiconductor로부터 2008년 분사한 Everspin Technologies의 64메가비트 STT-M램을 일본에 한정출하하기 시작했다. 인터페이스는 일반적인 DDR3을 사용해 범용성을 확보했고 3.2기가바이트 대역을 가지고 있다. 또 IMEC는 TEL, Canon Anelva와 공동으로 차세대 고밀도 STT-M램을 개발하고 있다. IMEC는 개발을 가속화하기 위해 TEL의 에칭장치를 클린룸에 도입했고 MTJ, 패터닝을 개량할 계획이다. Canon Anelva와는 1나노 초 이하의 고속처리성능과 10나노미터 이상의 확장성을 가진 고밀도 STT-MRAM을 개발하고 있으며 D램, S램과의 호환성도 확보할 방침이다. IMEC는 이미 구경 300mm 대응 증착장치를 납입하고 있다. SK하이닉스도 2015년 워킹메모리(Working Memory)용 STT-M램의 실용화를 위해 플래시메모리의 메이저인 Toshiba와 공동연구에 박차를 가하고 있으며 2013년 샘플출하를 계획하고 있다. <정세진 기자> <화학저널 2012/12/06> |
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