KAIST 최성율 교수팀, 화상기상 증착법 활용 … 전자소자 소형화 기여
화학뉴스 2014.07.29
국내 연구진이 반도체성 물질인 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)을 대면적화할 수 있는 기술을 개발했다. 전자 소자의 소형화 문제와 태양전지 등의 효율 등을 개선하고 차세대 투명 플렉서블(Flexible) 소자를 구현하는 데 기여할 수 있을 것으로 기대된다. 미래창조과학부는 한국과학기술원(KAIST) 최성율 교수 연구팀이 이세렌화몰리브덴 대면적화 기술을 개발했다고 7월28일 발표했다. 몰리브덴과 셀레늄(Selenium)을 결합해 층상구조를 이룬 이셀렌화몰리브덴은 전도체 특성을 띠는 그래핀(Graphene)과는 달리 반도체 특성을 지니고 있으며 반도체로서의 특성을 원자 수준에서도 구현할 수 있는 장점이 있다. 이에 따라 최근 이셀렌화몰리브덴을 활용해 초소형·고효율 태양전지 등을 개발하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 최성율 교수팀은 세계 최초로 화학기상 증착법을 이용해 높은 재현성과 우수한 막질을 가지는 단일층의 이셀렌화몰리브덴을 대면적으로 합성했고, 여기에 그래핀과 이셀렌화몰리브덴을 수직 방향으로 쌓아 대면적화에도 성공했다. 최성율 교수는 “이셀렌화몰리브덴이라는 반도체성 물질의 대면적 성장기술과 그래핀-이셀렌화몰리브덴 구조의 성질을 세계 최초로 밝혀낸 것”이라며 “차세대 반도체 및 광소자로 응용하기 위한 실질적인 가능성을 보여준 것”이라고 강조했다. <화학저널 2014/07/29> |
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