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국내 반도체산업은 반도체 디바이스 미세가공 기술과 회로설계 기술의 현저한 진보에 힘입어 급성장을 이루어 왔다. 반도체 디바이스의 미세가공 기술은 현재 0.25μm의 최소 패턴선폭에이르렀으며, 이것은 16M bit DRAM에 해당하는 것으로 삼성전자가 올해 말 양산 예정으로, 국내반도체 산업수준은 세계 3위권에 들어설 것으로 보이고 있다. 이같은 제조공정의 급속한 진보에 따라 주변산업 역시 이에 상응하는 진보가 요청되었으며, 반도체 제조용으로 사용되는 화학약품, 가스, 초순수 등의 제품에 대해서도 고순도를 요구하기에 이르렀다. 실제 웨이퍼 가공에서 발생하는 불량중 약 70%는 패턴 결함에 따른 것이며, 그 50% 이상은 이물질이 원인이다. 오염에 의한 공정불량의 주 원인은 먼지·중금속·유기물 및 알카리 금속들로, 이들은 소자의 특성을 대폭 변화시키는 요인이 되기 때문에 최대한 감소시킬 필요가 있다. 표, 그래프 : | 반도체의 최소 패턴 선폭과 연차 추이 | 오염에 의한 IC공정 불량 | 반도체용 약품의 용도 및 사용법 | 91년 업체별·용도별 고순도황산 수급현황 | 고순도 황산 생산업체 현황 | 92년 고순도 황산 수요 및 공급전망 | 용도별 과산화수소수 수요현황 | 고순도 과산화수소수 생산업체 현황 | 92년 고순도 과산화수소수 수급전망 | <화학저널 1992/4/15> |
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