ETRI, 화합물 반도체 기술 교류
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나노소자특화팹센터와 MOU 체결 … IT 관련소자 대량생산 가능 ETRI는 8월24일 KANC(나노소자특화팹센터)와 화합물반도체 소재 및 부품분야 공동협력 및 세미나 등을 통한 기술교류를 주요 내용으로 하는 MOU를 체결했다.
화합물 반도체 전자소자 기술은 갈륨비소(GaAs), 임듐인(InP) 등 화합물반도체 기판을 이용해 MESFET, HEMT, HBT 등의 소자 및 인덕터, 커패시터, 레지스터 등 수동소자와 함께 집적한 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 기술을 의미한다. ETRI는 KANC와의 MOU체결을 통해 초고속 무선통신소자, 광통신용 소자, 패키징 기술 등 ETRI의 관련분야 원천기술을 KANC로 기술 이전해 IT관련 소자의 대량 생산이 가능해질 것으로 보고 있다. ETRI IT 융합ㆍ부품연구소 오수영 소장은 “ETRI와 MOU를 계기로 화합물반도체 분야에서 연구개발 및 상용화 기술개발을 비롯해 상호협력을 더욱 강화함은 물론 국내 화합물반도체 기술 발전을 통한 IT 부품소재기술 개발에서 상호 Win Win할 수 있는 발전의 토대를 만들었다”고 말했다. 또 KANC 이중원 대표이사는 “MOU 체결을 통해 센터와 ETRI IT 융합ㆍ부품연구소의 다양한 기술개발의 노하우와 연구 인력을 공동 활용해 나노기술 및 화합물반도체 관련 산업화를 앞당길 계기로 만들어가겠다”고 밝혔다. <화학저널 2006/08/24> |
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