다우코닝, 포토레지스트 기술혁신
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TOK와 실리콘 폴리머 사용한 이중층 공동개발 … 식각 선택비 향상 Dow Corning이 포토레지스트(Photoresist) 기술을 한단계 끌어올렸다.Dow Corning과 일본 TOK(Tokyo Ohka Kogyo)는 12월21일 이미징 층에서 실리콘(Silicone) 폴리머를 사용할 수 있는 이중층 포토레지스트의 공동개발 및 상용화에 성공했다고 발표했으며 식각 선택비가 향상됨으로써 65나노 이상의 리소그래피(Lithography) 구현이 가능해진 것으로 알려졌다. 나아가 신 포토레지스트는 실리콘 함유량이 풍부해 하드마스크 층을 따로 사용할 필요가 없어 서브 65나노 공정을 간소화할 수 있는 것으로 나타났다. 기존 유기화학 기반의 포토레지스트는 요구되는 식각 선택비를 충족하지 못해 에칭(Etching) 저항 효과를 제공하는 하드마스크 층은 물론 기타 레이어도 함께 사용돼야 했다. 또 기존에는 노광공정 중 가스 등 소량의 화학물질 방출이 문제점으로 지적되어 왔는데 신 포토레지스트는 공정에서 가스를 배출하지 않아 오염의 원천을 차단한 것으로 평가되고 있다. Dow Corning과 TOK는 2002년 연구개발 합작에 합의한 이후 실리콘 기반의 첨단 포토리소그래피 소재 개발에 매진해 왔으며 포토리소그래피 관련 미세공정 기술력을 보유한 TOK와 실리콘 소재 부문에 강점을 지닌 Dow Corining의 역량이 더해져 성공적인 시너지효과를 창출한 것으로 파악되고 있다. <화학저널 2006/12/22> |
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