특허청, 2004년 35건으로 관심 높아 … LG전자 디스플레이 소재 개발 열전사(Hot Embossing) 공정최근 고비용의 복잡한 사진현상을 대신해 차세대 반도체 및 평판디스플레이용 회로 형성기술로 나노임프린트 기술 관련특허가 급증하고 있다. 특허청에 따르면, 2001-05년 임프린트 관련특허가 크게 늘어 나노임프린트 기술의 관심을 반영하고 있다. 총 137건이 출원됐으며 기존의 단순 임프린트 유사기술 관련출원을 제외한 핵심 나노임프린트기술 관련출원은 총 40건으로 2002년까지는 총 5건에 불과했으나, 2003년부터 내국인의 출원이 급증하기 시작해 2004년까지 총 34건으로 전체의 85%에 달했다. 2003년을 전후로 국내 반도체 산업계에서 기존 사진현상방식의 미세화 한계점을 극복하기 위한 차세대 기술로 나노임프린트에 대한 요구와 관심이 높아졌기 때문인 것으로 보인다.
나노임프린트 기술을 사용해 고집적 반도체를 구현하기 위해서는 나노스케일에서의 물리현상을 고려한 미세회로형성 기술, 스템프제작 기술, 감광재료개발 기술, 임프린트 장비개발을 위한 나노미터급 정밀제어 기술이 필요한데 현재 이론상 임프린트공정으로는 10nm의 고집적 반도체 미세회로 선폭 제작이 가능한 것으로 알려져 있다.기존의 사진 현상기술이 회로선폭 100nm 정도의 반도체를 제조하는 수준에 머물러 있던 점을 감안할 때 매우 혁신적인 기술로 받아들여지고 있다. 한편, 나노임프린트 기술은 사용하는 재료의 특성에 따라 자외선감응 재료를 이용하는 자외선임프린트 방식과 열감응 재료를 사용하는 열전사임프린트 방식으로 구분된다. 표, 그래프: | 열전사(Hot Embossing) 공정 | 자외선(UV)공정 | <화학저널 2006/03/22> |
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