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Immersion ArF용 PR 사용 본격화 2007년 하반기부터 삼성전자가 Immersion ArF(불화아르곤)용 포토레지스트(Photoresist)를 사용해 56nm DRAM 양산을 시작할 전망이다.하이닉스도 2007년 말에서 2008년 초부터 Immersion ArF용 포토레지스트 공정을 도입할 것으로 보여 양산이 안정화될 것으로 예측되는 2009년부터 ArF용 포토레지스트 생산량이 급격히 증가할 것으로 예상된다. 포토레지스트 기술개발 EUV까지… 포토레지스트는 화상형성용의 사진식각(Photoetching)에 사용되는 감광성 고분자(감광성 수지)로 마이크론이나 나노 크기의 미세형상 구현이 요구되는 반도체, LCD, 인쇄, 인쇄회로기판분야 및 정밀가공 금속제품이나 유리제품의 제조 등 산업 전반에 널리 이용되고 있다. 포토레지스트는 변화해 노광부와 비노광부의 용해속도에 차이가 발생하고, 일정수준의 용해시간이 지나면 다 녹지 않은 부분이 남아 패턴이 형성되는 원리를 이용하는데, 반도체 또는 LCD 제조공정에서 특정 파장을 빛에 노출시키면 용매에 대한 용해도가 변화하는 성질을 이용해 반도체 패턴을 구현하는 재료로 사용된다. 표, 그래프 | 리소그래피 단계별 양산시설 | 리소그래피용 광원의 파장 비교(레이어 개수) | <화학저널 2007/8/20> |
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