그래핀(Graphene)을 손상없이 기판에 이식하는 기술이 국내 연구진에 의해 개발돼 상용화시기를 앞당기는데 주도적인 역할을 할 것으로 기대되고 있다.
카이스트(KAIST)는 전기 및 전자공학과 최성율 교수 연구팀이 단원자층 그래핀을 금속촉매기판에서 떼어낸 후 도장 찍는 방식으로 원하는 기판에 이식하는 기술 개발에 성공했다고 1월19일 밝혔다.
신기술을 활용하면 그래핀 박막 적층, 구조물 표면이나 플렉서블(Flexible) 기판으로의 전사, 4인치 웨이퍼 크기의 대면적 전사 등이 가능하다.
현재 그래핀을 기판으로 옮기기 위해 가장 많이 사용하는 방법은 화학용액을 이용하는 습식전사법이나 전사과정 중 그래핀에 대한 물리적 손상이나 표면오염 가능성이 있어 전사된 그래핀의 전기적 특성이 훼손될 수 있는 단점이 있다.
반면, 신기술은 그래핀 손상이 거의 없는 것이 특징으로 그래핀을 고분자 지지층에 결합시킨 후 고분자 지지층과 결합된 그래핀을 스탬프로 분리해 원하는 기판에 쉽게 이식할 수 있다.
최성율 교수는 “범용성이 뛰어나고 큰 면적에도 적용 가능해 그래핀의 전자소자화에 기여할 수 있을 것”이라며 “향후 2차원 소재 접합 나노소자 구현에도 활용할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
연구결과는 나노 및 마이크로 과학 분야 국제 학술지 스몰(Small)의 1월14일자 표지논문으로 게재됐다.