최소형 나노선 물성 제어기술 개발
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연세대, 전기적 특성 제어 도핑기술 … 실리콘 반도체소자 직접도 높여 국내 연구진이 전자회로 선 폭이 1나노미터(㎚=10억분의1ｍ)에 불과한 실리콘 반도체소자를 제작할 수 있는 나노선 물성 제어기술을 처음으로 개발했다.연세대 원자선원자막연구단 염한웅 교수팀은 4월2일 회로선 폭이 현재의 초고직접 실리콘 반도체소자의 50분의1인 1㎚ 금속나노선을 실리콘 기판 위에 직접 대량으로 성장시키고 소자에 응용할 수 있도록 불순물을 첨가하고 농도를 조절해 전기적 특성을 제어하는 도핑기술을 개발했다고 밝혔다. 교육과학기술부의 창의적 연구진흥사업으로 수행된 연구결과는 2월 말 베를린에서 열린 독일물리학회 특별심포지엄의 초청강연에서 발표됐으며, 물리학분야 최고 권위지 Physical Review Letters 3월28일자에 이어 4월 9일자에 연속으로 게재된다. 실리콘기판에 넓이가 원자 1-3개 정도인 1-2㎚ 나노선을 만드는 기술은 1999년 염한웅 교수팀과 스위스 바젤대 연구진에 의해 각각 개발돼 10여년간 물리학계의 큰 관심을 끌었으나 물성 조절을 위한 도핑기술이 없어 소자로 응용되지 못하고 있다. 반도체소자에서 회로의 폭을 줄이는 것은 반도체소자 소형화를 위해 꼭 필요하지만 1㎚ 넓이의 원자선을 반도체 소자 회로에 이용하려면 불순물을 첨가하고 농도를 조절해 전기적 성질을 조절할 수 있는 기술이 필요하다. 염한웅 교수는 연구에서 실리콘기판 위에 금 원자를 2열로 정렬해 폭 1㎚의 나노선을 만들고 그 위에 실리콘 원자를 첨가하고 농도를 조절할 수 있는 기술을 개발했으며 실제로 나노선의 전기적 특성을 조절할 수 있음을 증명했다. 염한웅 교수는 “기술이 실리콘 반도체소자의 직접도를 획기적으로 높일 것”이라며 “미래형 나노소자에 중요한 기초원천기술로 반도체산업의 국제 경쟁력을 유지하고 차세대 반도체소자 개발 경쟁에서 유리한 위치를 선점하는 데 도움이 될 것”이라고 말했다. <화학저널 2008/04/02> |
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