반도체 소재 MoS2 초박막 기술 개발
서울대 이탁희 교수팀, CVD 활용 … 원하는 위치에 원하는 형태 제작
화학뉴스 2014.05.08
국내 연구진이 차세대 소재 이황화몰리브덴(MoS2)을 활용해 휘는 초박막 반도체를 개발하는데 성공했다.
미래창조과학부는 서울대학교 물리천문학부 이탁희 교수 연구팀이 두께 0.65나노미터의 MoS2를 이용해 초박막 전자소자를 세계 최초로 원하는 위치에 원하는 형태로 제작하는 기술을 개발했다고 5월8일 발표했다. MoS2는 몰리브데늄과 황이 결합해 이루어진 물질로 그래핀(Graphene)처럼 얇은 층 구조인데다 휘는 성질이 있다. 따라서 입는 컴퓨터, 휘는 디스플레이, 태양전지 등에 활용 가능한 차세대 나노 소재로 각광받고 있다. 연구팀은 MoS2를 화학기상증착법(CVD)으로 기판 위에 수 센티미터로 넓게 성장시켜 전자소자로 만들었다. 기존에도 CVD를 활용해 MoS2를 얻는 기술이 있었지만 선택적으로 원하는 곳에만 분포시키는 기술은 미미했다. 연구팀은 원하는 모양대로 구멍을 뚫은 섀도 마스크(Shadow Mask)를 활용해 원하는 곳에 원하는 모양으로 MoS2를 분포시키는데 성공했다. 평면에 넓게 만들어진 물질을 깎아내는 후처리 과정을 생략할 수 있어 순도가 높은 MoS2를 얻을 수 있고 고유한 반도체 특성을 잘 유지할 수 있는 장점이 있다. 이탁희 교수는 “매우 얇은 반도체 소재를 활용할 가능성을 높였다”고 말했다. MoS2의 화학적 조성을 분석해 높은 순도를 확인하는 작업은 연구팀과 포항가속기연구소의 공동연구로 진행됐으며, 연구 성과는 나노분야 국제학술지 ACS 나노 4월14일자 온라인판에 게재됐다. <화학저널 2014/05/08> |
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