삼성전자가 시장상황 악화를 고려해 2016년 반도체 투자를 줄일 것으로 파악된다.
IHS에 따르면, 2016년 삼성전자의 낸드플래시 반도체 투자 예상액은 20억달러로 2015년에 비해 13억달러 가량 줄어든 것으로 나타났다. D램 메모리 반도체 투자액 역시 53억달러로 10억달러 줄어들 것으로 예상된다.
낸드와 D램을 포함한 메모리 반도체 투자액은 73억달러(약 8조8695억원)로 2015년(96억달러)에 비해 23억달러(약 2조7945억원) 감소할 것으로 분석된다.
삼성전자가 투자를 줄이는 것은 글로벌 경기가 위축되고 있는 가운데 정보기술(IT) 관련제품 수요가 감소세를 면치 못하고 있으며 가격도 약세를 나타내고 있기 때문이다.
삼성전자는 “투자내용은 시장상황에 따라 변동되기 쉬워 금액을 단정적으로 말하기 어렵다”면서 “구체적인 투자방향은 1월 말 삼성전자 영업실적 발표와 함께 공개할 것”이라고 밝혔다.
삼성전자와 달리 SK하이닉스를 비롯한 글로벌 경쟁기업들은 투자를 유지하거나 확대할 것으로 파악된다.
메모리 반도체 세계 2위인 SK하이닉스는 1월14일 2016년 6조원 이상을 투자해 2015년과 비슷한 수준을 유지하겠다고 발표했다. 주로 D램, 3D 낸드플래시의 개발과 양산을 위한 투자를 집행한다.
미국 샌디스크(Sandisk)와 협업하는 일본 도시바(Toshiba)는 34억달러를 투자할 것으로 예상되며 중국기업과의 협력 확대 가능성도 점쳐지고 있다.
마이크론(Micron)은 투자액을 23억달러로 전년대비 8억달러 확대할 계획이다. 낸드 시장 진입을 선언한 인텔(Intel)도 15억달러를 신규 투자한다.
삼성전자는 투자규모를 줄이지만 고부가가치제품 중심으로 수익성 강화에 초점을 맞춘다.
D램은 10나노대 미세공정 기술을 적용한 반도체를 2016년부터 양산해 20나노대에 머물고 있는 경쟁기업과 격차를 벌린다. V낸드를 만드는 중국 Xian 공장 투자는 반도체 투자 축소와 관계없이 계속 진행하고 2015년 하반기부터 양산한 3세대(48단) V낸드 비중도 더욱 확대할 계획이다. (L)