반도체 시장은 코로나19(신종 코로나바이러스 감염증) 사태에도 불구하고 위축되기는커녕 오히려 급성장을 계속하고 있다.
반도체 기술이 5G(5세대 이동통신), DX(디지털 전환), 재택근무 등 디지털 사회 전반을 뒷받침하고 있기 때문이며 패턴 형성에 사용되는 포토리소그래피가 중요한 역할을 담당하고 있다.
특히, 최근에는 EUV(극자외선) 레지스트가 주목받고 있는 가운데 기술력이 뛰어난 일본기업이 시장을 선도하고 있다.
2020년 5나노미터 노드가 실용화되면서 EUV 공정 양산이 시작됐으며 장기적으로는 포토리소그래피 공정의 절반가량에 EUV가 적용될 것으로 예상되면서 개발 경쟁이 치열해지고 있다.
최첨단부터 범용까지 안정성장 기대
글로벌 포토레지스트 시장은 1800억엔(1조9000억-2조원) 수준으로 추정되며, 첨단공정에 대응한 기술 개발에 박차를 가하고 있어 급성장이 기대된다.
최첨단 싱글(1자릿수) 나노미터 공정은 전체의 약 4%에 불과하나 범용화된 레지스트는 가격경쟁이 치열해지고 있어 신규 EUV 공정에 채용되면 양산할 때 우위를 점할 수 있기 때문이다.
최첨단 로직의 포토리소그래피 공정은 최대 100층에 달하는 것으로 파악되고 있으며 트랜지스터를 형성하는 프론트엔드(Front-end), 금속배선층을 형성하는 백엔드(Back-end), 프론트엔드와 백엔드를 연결하는 미들레인지(Middle-range)로 분류된다.
EUV는 아직 구체적인 수치로는 드러나지 않고 있으나 프론트엔드와 미들레인지에 도입되기 시작한 것으로 파악되고 있다.
특히, 공정 수가 많은 프론트엔드에 대한 채용이 확대되고 있으며 몇년 후에는 EUV가 첨단제품 리소그래피에서 차지하는 비중이 50%에 육박할 것이라는 의견이 제기되고 있다.
나노미터는 반도체 집적도를 나타내며 숫자가 작을수록 반도체가 집적됐음을 의미하고 있다.
국제반도체장비재료협회(SEMI)는 5나노미터 노드의 리소그래피는 선폭과 구멍 길이를 반으로 나눈 하프피치가 15나노미터, 3나노미터 노드는 12나노미터로 파악하고 있다.
첨단 리소그래피에서 니즈가 높아지고 있는 미세가공용 다층 레지스트 기술도 발전하고 있어 고해상도화가 디바이스의 진화를 뒷받침하고 있다.
EUV는 패턴 정밀도가 높아 채용이 확대되고 있다.
액침 ArF(불화아르곤)로는 3-4회 필요한 패터닝을 1-2회만에 완료할 수 있어 코스트 절감 및 고속생산이 가능한 강점이 있으며, 현재 개발이 진행되고 있는 3나노미터 노드 이후에는 EUV를 이용하지 않고는 미세화가 어려운 것으로 파악되고 있다.
최대 메이저인 삼성전자는 최근 로직 뿐만 아니라 D램에도 EUV를 적용해 양산하기 시작했고, 글로벌 EUV 레지스트는 시장은 단기적으로 100억엔으로 확대된 후 장기적으로 성장을 계속할 것이 확실시되고 있다.
EUV 뿐만 아니라 액침 ArF 공정도 성장하고 있다.
액침 ArF는 EUV에 비해 미세화에 대응한 개발이 뒤처지고 있으나 프론트엔드부터 백엔드까지 개별 영역에 투입되면서 다양한 노하우가 축적되고 있으며, 코스트 측면에서 EUV가 아닌 액침 ArF의 다중노광을 이용하는 사례가 있으며 미세화가 진행됨에 따라 ArF를 대체하는 프로세스로도 부상하고 있어 앞으로 안정적으로 성장할 것으로 예상된다.
공정이 전체적으로 미세화됨으로써 ArF가 액침 ArF로, KrF(불화크립톤)가 ArF로 대체되고 있으나 기존 레지스트도 신규시장이 확대되면서 성장하고 있다.
KrF는 3차원(3D) 낸드플래시메모리, i선 및 g선 레지스트는 전자부품, MEMS(미세전자기계시스템) 등에서 이용이 확대되고 있어 최첨단 EUV에서 범용인 i선, g선 레지스트에 이르기까지 시장 전체적으로 안정적인 성장이 기대되고 있다.
EUV, 높은 성장성으로 개발경쟁 심화
SEMI는 2020년 실리콘웨이퍼 출하량이 2.4% 증가한데 이어 2021년 5.0%, 2022년 5.3% 늘어 2년 연속 과거 최고치를 넘어설 것으로 예상하고 있다.
웨이퍼 장수 증가에 따른 레지스트 전체의 수요 증가 뿐만 아니라 미세화에 따른 포토리소그래피 공정 수 증가도 성장을 뒷받침하고 있다.
첨단 로직은 레지스트 공정이 50-100회에 달하며 미세화에 따라 액침 ArF 이중, 삼중 등 다중노광 방식을 채용하고 있으나 EUV를 이용하면 싱글노광으로 전환할 수 있어 패턴 정확도가 높아지는 것으로 파악되고 있다.
마스크 수를 줄이면서 복잡한 회로패턴을 형성할 수 있는 EUV 노광은 미세화와 코스트 절감을 동시에 달성할 수 있는 장점이 부각되고 있다.
장비는 네덜란드 ASML이 독점적으로 공급하고 있으며 레지스트는 일본기업이 개발 경쟁을 펼치고 있다.
EUV 레지스트는 JSR, TOK, 신에츠케미칼(Shin-Etsu Chemical) 3사에 이어 스미토모케미칼(Sumitomo Chemical)이 2020년 가을 생산을 시작했으며 후지필름(Fujifilm)은 2021년 채용을 목표로 제안을 강화하고 있다.
현재는 7나노미터, 5나노미터를 양산하고 있으며 앞으로 3나노미터가 등장한 이후 2나노미터, 1.5나노미터 순으로 미세화될 것으로 예상된다.
이에 따라 3차원화 니즈가 높아져 패키지도 고성능화가 요구될 것으로 판단되고 있다.
7나노미터는 실효값으로 환산한 것으로 동등한 속도에 해당하는 디바이스 설계를 의미한다. 실효값이 낮을수록 미세화, 형상에 대한 연구 등이 복잡해짐에 따라 EUV 레지스트는 테이퍼, 곡선 등 형상 재현성, 높은 밀착성 등이 요구된다.
결과적으로 미세화 연구개발(R&D)은 해상도에만 중점을 두지 않고 개별 요소 향상을 전반적으로 추진할 필요가 있는 것으로 파악되고 있다.
레지스트 성능지표로는 해상도의 3승, LEF(Line Edge Roughness)의 2승, 감도를 곱한 Z팩터 등이 이용되고 있다.
포토레지스트는 감도가 높으면 고속노광이 가능하나 웨이퍼 전면에서 성능을 발휘하기 위해서는 균일성이 중요한 것으로 파악되고 있다.
이에 따라 EUV 레지스트 공급기업들은 결함에 대한 인식을 강화하고 있다. 아무리 성능이 우수해도 결함이 있으면 수율에 큰 영향을 미치기 때문으로, 불순물 농도 ppt(1조분의 1) 수준의 품질관리가 요구되고 있다.
EUV가 사용되는 최첨단 공정은 경쟁으로 채용제품이 결정되며 개별 공정 외에 기존장비 및 신규장비용 등 경쟁 부문이 다양한 것으로 파악되고 있다.
레지스트 개발 부문이 단계로 분류됨에 따라 스미토모케미칼은 스케줄을 관리하는 개발컨덕터를 운영하고 있으며 2022년 무렵 양산물량까지 채용 결정이 완료돼 최근에는 2023년 이후 양산물량에 중점을 두고 있다.
EUV 레지스트는 높은 성장잠재력에 대한 기대감으로 개발이 가속화되고 있다.
반도체는 미세화가 진행될수록 EUV 공정이 늘어 7나노미터 노드는 로직계에서 5-6레이어에 EUV 공정이 채용되며 5나노미터는 10레이어, 3나노미터는 20레이어 이상인 것으로 알려졌다.
EUV 레지스트는 레이어가 증가할수록 사용량이 늘어나고 로직계는 크리티컬한 부분이 늘어나는 등 앞으로는 전공정의 절반 이상을 EUV가 차지할 것으로 예상된다.
메모리인 D램에도 EUV가 도입되기 시작했다.
로직에 EUV를 활용하고 있는 삼성전자가 선두를 달리고 있으며 SK하이닉스는 2021년 여름 EUV 공정을 도입했고 스미토모케미칼은 D램용 EUV 레지스트 개발을 강화하고 있다.
차세대 노광장비 등장으로 고도화 필수
EUV는 흡수‧감쇠비율이 매우 높으며 광원 취급이 어려워 광량과 낮은 결함도를 양립할 것이 요구되고 있다.
EUV 노광장비 공급기업인 네덜란드 ASML이 2022년 후반 차세대 EUV 장비를 공급할 계획이어서 레지스트, 마스크, 펠리클을 포함한 주변 소재는 더욱 높은 기술수준이 요구될 것으로 예상된다.
ASML이 공급하고 있는 EUV 노광장비는 개구수(NA)가 0.33으로 7나노미터 이하의 공정 노드에서 위력을 발휘하고 있다.
흡수‧감쇠비율이 높은 EUV는 기존의 투과형 마스크를 이용할 수 없어 반사형 마스크로 대신하고 있으나 반사할 때 약 30%의 흡수가 일어나 열과 먼지가 발생하는 문제점이 있다.
렌즈에 3회 반사된 후 마스크에 반사되면 0.7의 4승으로 광량이 약 20% 저하되며 액침 ArF 등에 사용되는 방진커버인 펠리클을 부착하면 손실이 더욱 많아지는 것으로 파악되고 있다.
EUV는 펠리클을 통과한 후 마스크에 반사되고 다시 펠리클을 통과함에 따라 펠리클에 따른 손실이 2회 발생하기 때문이다.
이에 따라 펠리클을 독점 공급하고 있는 미쓰이케미칼(Mitsui Chemicals)은 광투과성이 90% 이상인 펠리클 개발에 박차를 가하고 있다.
마스크 부분에서도 성능 향상이 이루어지고 있다.
EUV 마스크는 이전까지 문제시되지 않던 미세한 결함이 영향을 미치고 있어 원재료인 블랭크마스크(Blank Mask)의 결함을 피해 패턴을 형성할 수 있는지가 중요해지고 있다.
EUV 블랭크마스크를 이용하는 반도체 생산기업은 자체적으로 기술을 개발해 생산하고 있다. 블랭크 단계에서 결함의 위치좌표를 파악해 문제를 해결하는 등 마스크 설계 노하우를 외부에 노출시키지 않으려는 목적도 있는 것으로 파악되고 있다.
그러나 앞으로는 EUV 시장이 확대됨에 따라 일부 외주를 맡길 것으로 예상돼 Toppan Printing, DNP(Dai Nippon Printing) 등 마스크 생산기업들이 진입 기회를 엿보고 있다.
마스크 패턴 형성에서는 미세화가 진행됨에 따라 흡수체인 탄탈럼질화붕소(TaBN) 막의 높이가 문제시되고 있다. 반사형 마스크는 EUV를 비스듬하게 반사함에 따라 미세화로 흡수체 간격이 좁아지면 높이가 높은 흡수체는 반사광이 차단되기 때문이다.
이에 따라 흡수성능을 유지하면서 높이가 낮은 흡수체 개발이 이루어지고 있다.
광원 문제는 레지스트에도 영향을 미치고 있다.
네거티브와 포지티브의 문제로 액침 ArF는 포지티브형 레지스트보다 잔사가 잘 남지 않는 네거티브형 레지스트를 주로 사용했으나 EUV 노광은 이물질 발생을 줄이기 위해 포지티브형을 채용하는 사례가 많은 것으로 파악되고 있다.
접촉홀(Contact Hole) 가공을 예로 들면 포지티브형 레지스트에 따른 노광면적이 작은 다크필드는 노광면에 영향을 미칠 확률이 낮아 펠리클을 이용하지 않는 효율적인 EUV 노광으로도 이어지는 이점이 있는 반면 네거티브형 레지스트에 따른 노광면적이 큰 브라이트필드는 이물질 발생 리스크가 높은 단점이 있다.
그러나 마스크 진화, 펠리클 채용으로 브라이트필드에서 가공이 가능해지면 EUV 분야에서 네거티브형 레지스트 수요가 확대될 것으로 예상되고 있다.
액침 ArF에 처음 미세화가 요구된 당시 포지티브형에서 네거티브형으로 전환된 바와 같이 EUV 레지스트도 미세화가 진행됨으로써 포지티브형에서 네거티브형으로 전환되는 영역이 나타날 가능성이 있기 때문이다.
ASML이 출시할 예정인 차세대 기기는 NA가 0.55로 향상됨에 따라 광원의 빛을 더욱 많이 유효하게 이용할 수 있으며 미세화, 수율 개선이 가능한 것으로 파악되고 있다.
장비가 대폭 커지고 가격도 수천억원에 달할 것으로 예측되고 있으나 타깃은 3나노미터 이하의 공정 노드로 주변 소재 역시 고도화가 필수적으로 요구됨에 따라 반도체 시장 전반이 활성화될 것으로 기대되고 있다.
ArF, 액침‧다층 레지스트 수요 안정적…
미세화는 반도체 전공정 전체에 해당하는 것으로 각 층의 미세화 단계가 1층씩 올라가 ArF 공정을 채용하던 층은 액침 ArF로 전환되고 있다.
액침을 포함한 ArF 레지스트는 일부가 EUV 공정으로 전환되고 있음에도 KrF 공정을 ArF가 대체하는 부분이 있어 수요가 안정세를 유지하고 있다.
앞으로는 미세화에 따라 HAR(High Aspect Ratio), 평탄성을 담보하는 다층 레지스트 기술에 대한 니즈가 점차 높아질 것으로 예상된다.
스미토모케미칼은 EUV가 등장하면서 액침 ArF 해상도 개발을 중단하고 액침 ArF를 이용한 신규 프로세스용 개발을 추진하고 있다. 다중노광에 적합한 내성 및 형상, 후막 등을 개발하고 있는 것으로 알려졌다.
반도체기업들은 대부분 크리티컬한 부분에 EUV를 채용하고 액침 ArF는 기존제품을 안정적으로 이용하려는 움직임을 나타내고 있다.
액침 ArF는 노광횟수가 3-4회, EUV는 1-2회로 장비 및 소재에 소요되는 코스트를 고려해도 EUV가 총비용을 감축할 수 있는 이점이 있다. 그러나 비용 측면에서 액침 ArF의 다중노광 프로세스가 유리한 분야도 있어 100% 전환되지는 않을 것으로 예상된다.
ArF는 공정 미세화에 따라 KrF로 대응하기 어려워진 부분도 대체하고 있다.
첨단 로직의 최상위 배선층에 KrF가 채용되고 있으나 ArF로 대체됨으로써 전공정은 EUV, ArF, 액침 ArF만 사용될 것이 확실시된다.
D램은 EUV 이용이 한정적인 것으로 나타나 액침을 포함한 ArF 공정 개발을 계속하고 있어 ArF 및 액침 ArF 공정 수요가 안정적으로 증가하고 있다.
네덜란드 정부가 미국-중국 무역마찰에 따라 EUV 장비의 중국수출을 허가하지 않고 있어 중국기업이 EUV 장비를 확보하지 못하고 있는 것도 큰 영향을 미치고 있다. 중국은 로직과 D램 분야에서 모두 액침 ArF 장비 수요가 증가하고 있다.
액침 ArF는 네거티브형 레지스트도 안정적인 수요 확대가 예상된다.
액침 ArF의 네거티브형 레지스트는 액침 ArF 포지티브형과 EUV 포지티브형 사이에 위치하며, 특히 접촉홀에서 강점을 발휘하고 있다. 이미 공정 확립이 완료됨에 따라 앞으로 적용하는 층이 백엔드로 옮겨가도 액침 ArF 네거티브형 레지스트 채용이 계속될 것으로 판단되고 있다.
ArF 레지스트 시장과 함께 다층 레지스트 기술도 발전하고 있다.
최근에는 HAR 가공에 대한 니즈가 높으나 박막화한 레지스트는 에칭 내성이 부족한 것으로 파악되고 있다.
특히, 아크릴계에 대한 내성이 약한 ArF 레지스트에서 다층화가 요구되기 시작했으며 박막인 ArF 레지스트로 패턴을 자르고 이후 에칭 공정에서는 다층소재가 배리어 역할을 담당함으로써 HAR을 실현하고 있다.
ArF에 이어 EUV도 다층 레지스트 기술이 필요하며 미세가공을 실현하기 위한 평탄성 확보 측면에서도 수요가 확대될 것으로 예상되고 있다.
메모리 분야는 로직만큼 평탄성이 필요하지 않으나 미세화에 따라 다층 레지스트에 대한 니즈가 높아질 것으로 예상된다.
다층 레지스트 시장은 JSR과 신에츠케미칼이 리드하고 있다.
양사는 상층의 ArF 및 EUV를 포함한 레지스트, 중간층의 도포형 실리콘막(SOG), 하층의 도포형 유기막(SOC)을 모두 공급하며 종합적인 솔루션을 제공하고 있다. 액침 ArF 공정에서는 탑코트까지 다루고 있어 모든 층에서 종합적인 설계가 가능함에 따라 문제가 발생했을 때 신속하게 대응할 수 있는 강점이 있다.
KrF, 후막 레지스트 시장경쟁 심화
KrF 레지스트는 1990년대부터 반도체 생산에 다양하게 사용되고 있다.
최근에는 500나노미터-1마이크로미터 수준의 패턴에 투입되고 있으며 첨단공정에서는 반도체 금속배선을 형성하는 백엔드 공정에 채용되고 있다.
3D 낸드플래시메모리, 이미지센서 등 새로운 수요도 발생하고 있어 글로벌 시장점유율 1위인 TOK를 시작으로 다양한 용도에 대응한 신규 레지스트 개발이 가속화되고 있다.
KrF 수요처로는 3D 낸드플레시메모리 용도가 주목받고 있으며 주로 계단 형태의 배선 패턴을 형성하기 위해 후막제품이 이용되고 있다.
일반적인 KrF 레지스트는 두께가 60나노미터 수준이나 3D 낸드용은 20배 수준으로 1마이크로미터까지 달하는 것으로 파악되고 있다.
로직용 시장은 기존제품을 안정적으로 사용하는 경향이 있어 새롭게 진입하기 어려우나 후막 KrF가 등장함으로써 로직용에서 뒤처진 생산기업도 반격할 기회를 엿보고 있는 것으로 알려졌다.
후막 KrF 레지스트는 높은 습식에칭 내성과 아래까지 빛이 통하는 설계가 요구된다.
기존 용도는 기존제품을 사용함에 따라 가격경쟁이 치열해지고 있으며 후막을 이용하는 신규 용도는 개발경쟁이 활발해지고 있다.
3D 낸드와 함께 이미지센서도 성장시장으로 주목받고 있다.
이미지센서는 깊은 포토다이오드층을 형성할 때 후막 KrF가 채용되고 있으며, 3D 낸드는 점차 후막화가 진행되면서 대폭적인 후막화가 가능한 i선 레지스트 적용이 검토되고 있는 것으로 파악되고 있다.
미국 마이크론(Micron)은 2020년 말 세계 최초로 176층 3D 낸드플래시메모리를 출시한다고 발표했으며 SK하이닉스는 176층 타입 샘플을 공급하고 있다.
적층수는 중장기적으로 계속 증가할 것이 확실시된다.
다만, 약 200층까지는 KrF 레지스트를 이용한 2단 적층으로 대응할 수 있으나 1단 부근의 층수가 100층을 넘으면 KrF로는 최하층까지 빛이 잘 도달하지 않아 i선 레지스트를 이용할 것으로 판단되고 있다.
3D낸드는 높이 방향의 후막에 초점을 맞추고 있으며 해상도적으로는 i선 레지스트 적용이 충분히 가능하다는 의견이 주류를 이루고 있다.
그러나 i선은 레지스트 성능을 충족시키나 얼라이너(Aligner) 위치정밀도 등 장비에 문제점이 있어 단순히 대체하기는 어렵다는 의견도 제기되고 있어 장비 개량이 후막 i선 레지스트 적용 여부를 좌우할 것으로 예상된다.
이미지센서 분야에서는 스미토모케미칼이 후막 ArF 레지스트 제안에 힘을 기울이고 있으나 이미지센서는 3D 낸드와 달리 화소 미세화에 따라 후막과 높은 해상성이 요구되고 있다.
중장기적으로는 마이크로컴퓨터, 파워디바이스용으로 i선, g선과 함께 KrF 수요가 확대될 것으로 예상된다.
대전류제품 등은 반드시 미세화가 요구되지는 않아 선폭 100나노미터 안팎의 KrF 레지스트가 가장 적합한 사례도 많은 것으로 파악되고 있다.
EUV, ArF 등 높은 해상성이 요구되는 레지스트는 일본기업이 기술적으로 우위를 자랑하고 있으나 KrF는 동진쎄미켐이 시장 공략을 강화하고 있다.
일본기업은 장기간에 걸쳐 축적한 노하우를 바탕으로 KrF 시장에서도 높은 영향력을 발휘할 수 있을 것으로 기대하고 있어 코스트, 성능 등 수요처의 요구를 충족할 수 있는 소재 개발이 중요해지고 있다.
i선‧g선, 응용제품으로 성장 기대
범용화된 g-i선 레지스트는 최근 고성능 MEMS 기기 등에서 수요가 확대되고 있으며 영구 레지스트를 포함한 응용제품, TSV(실리콘 관통전극), 범프 형성을 포함한 후막 대응, 후공정 및 기판 패턴 미세화 등 신규 시장도 주목받고 있다.
후공정에서는 습식필름 레지스트(DFR)와 경쟁하는 부분도 있어 밀착성‧균일성 등 액체 레지스트만의 강점을 활용한 시장 개척이 가속화되고 있다.
신규 레지스트 개발 부문에서는 TOK가 두드러지고 있다.
TOK는 레지스트 전문 공급기업으로 세밀한 지원이 가능한 강점이 있어 일본 뿐만 아니라 해외에도 엔지니어를 파견해 수요처 밀착형으로 사업을 운영하고 있다. 전공정에 비해 액체 레지스트에 익숙하지 않은 패키지 및 MEMS 수요기업의 공장에 직접 방문해 지원 서비스를 제공하고 있으며 100마이크로미터 이상의 후막, 비평면 공정, 최소선폭 2마이크로미터인 후막‧세선제품 시장을 개척하고 있다.
TOK는 생산공정에서 고열이 가해지는 파워디바이스용으로 고내열성 i선 레지스트를 개발하고 있으며, 열 보호용 희생층이 필요하지 않아 코스트 절감에도 기여할 것으로 자신하고 있다.
레지스트를 디바이스 구조재로 이용하는 영구 레지스트도 주목하고 있다.
내부에 공동이 있는 SAW(표면파) 디바이스는 무선통신이 발전함에 따라 기기에 대한 탑재수가 증가하고 있으며 많은 대역폭을 이용하는 5G 도입도 긍정적으로 작용하고 있다.
TOK는 칩을 수지로 봉지하고 디바이스를 형성하는 후공정 및 실장용 기판에도 주력하고 있다.
기존에는 필름인 DFR을 이용했으나 칩 복잡화, 다른 종류의 칩을 접합하는 헤테로 접합으로 배선 미세화가 진행됨에 따라 최소선폭 5마이크로미터 이하 영역에서 액체 레지스트의 우위성이 높아질 것으로 판단하고 수요지인 아시아 지역에 대한 공세를 강화하고 있다.
스미토모케미칼도 패키지용 후막 i선 레지스트에 힘을 기울이고 있다.
패키지용은 FO-WLP(Fan-Out Wafer-Level Packaging)의 재배선층(RDL)도 타깃으로 삼고 있다.
2021년에는 FO-WLP를 공급하는 타이완 TSMC가 일본 츠쿠바(Tsukuba)에 후공정 개발센터를 개설할 예정이어서 일본 레지스트 및 소재, 장비 생산기업과 협업할 가능성이 제기되고 있다.
패키지 분야에서 대량 생산제품은 마스크 시스템, 소량제품은 전자빔 등 마스크를 이용하지 않는 마스크리스 시스템을 채용하고 있으나 최근에는 흐름이 변화하고 있다.
세계 최대의 마스크 얼라이너 공급기업 EVG(EV Group)는 여러 광원을 탑재한 마스크리스 노광장비를 출시했으며 중장기적으로는 마스크리스 노광장비가 전체에서 자치하는 비율이 25% 이상으로 높아질 것으로 예상하고 있다.
마스크리스 시스템은 마스크를 이용하지 않는 만큼 코스트가 절감되는 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 세밀한 사양 변경에 대한 대응, 다품종 소량생산이 가능한 것으로 파악되고 있다.
최근에는 디스플레이 분야에서도 미세화 요구가 높아지고 있어 스미토모케미칼, JSR 등 반도체와 디스플레이를 모두 사업화하고 있는 메이저들이 대응에 힘을 기울이고 있다.
디스플레이 분야에서 스미토모케미칼은 TFT(박막 트랜지스터)층용 레지스트, JSR은 감광성 보호막을 공급하고 있으며 양사는 컬러필터용 컬러 레지스트도 생산하고 있는 가운데 마이크로 LED(Light Emitting Diode), 스마트 유리용 극소 디스플레이 등에 주력하고 있다.
디스플레이용 소재는 이미 범용화가 완료됐으나 마이크로 LED 등 차세대 분야에서 비즈니스 기회가 확대될 것으로 예상되고 있다.
TOK는 레지스트 및 주변소재 공급을 강화하고 있으며 이미지센서용 착색 감광소재로 글로벌 시장점유율 1위를 차지하고 있는 후지필름도 극소 디스플레이용 컬러필터를 유망시장으로 주목하고 있다. (J)
