SK하이닉스(대표 박성욱) 세계 최초로 차세대 와이드 IO2 모바일 D램 개발에 성공했다고 9월3일 발표했다.
SK하이닉스가 개발한 와이드 IO2는 국제 전기전자표준협회(JEDEC)에서 표준화를 진행하고 있는 차세대 고성능 모바일 D램의 하나로 8기가비트이다.
20나노미터 상당의 첨단 미세공정을 적용해 기존 LPDDR4 모바일 D램과 같은 1.1V 동작전압에서의 저전력 특성을 강화했고, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.
기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB의 데이터 처리가 가능했다.
반면, 차세대 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있어 처리속도가 LPDDR4에 비해 4배 이상 빨라졌다.
SK하이닉스 관계자는 “주요 고객기업들에게 와이드 IO2 샘플을 공급한 상태”라며 “2015년 하반기부터 본격적인 생산을 시작할 계획”이라고 밝혔다.