ALD/CVD 공정용 전구체는 미세화 및 적층 소자 기술에서 증착 공정이 증가하면서 성장이 기대되고 있다.
ALD(Atomic Layer Deposition)와 CVD(Chemical Vapor Deposition)는 웨이퍼 표면 위에 전구체를 통한 표면반응으로 절연막이나 전도성 박막 등을 형성시키는 공정이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 원가절감을 위해 전구체를 중심으로 반도체 소재를 국산화하고 있다. SK하이닉스는 6000억원 이상의 원재료 비용을 지출하고 있으며 계열사인 SKC, SKC솔믹스를 중심으로 반도체 소재 국산화에 집중하고 있다. SKC솔믹스는 2012년 2월 하이닉스가 SK그룹으로 인수되면서 매출 비중이 급격히 확대된 것으로 나타나고 있으며 2014년 1/4분기에는 영업이익이 흑자로 돌아섰다. SKC솔믹스는 반도체 기초 원료를 중심으로 SK하이닉스에게 공급하며 전구체 R&D 개발에 투자가 필요한 것으로 나타나고 있다. 삼성전자도 삼성SDI를 중심으로 소재 부문을 육성할 방침이다. 표,그래프: <CVD와 SOH의 구조><High-K 구조><Gate First와 Gate Last> <화학저널 2015년 1월 26일> |
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