실리콘 반도체의 터보엔진으로 불리는 꿈의 차세대 반도체 기술이 국내 기술진에 의해 개발됐다. 한국전자통신연구원 SiGe소자팀은 나노기술 관련 개발과제인 <실리콘 미래-신소자 기술 개발>(연구책임자 심규환 박사)의 일환으로 실리콘-게르마늄 SS-HMOS(Strained-Silicon Heterostructure MOS) 반도체소자를 개발했다. 전자통신연구원은 칩이 종래의 통상적인 실리콘 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자에 비해 잡음이 현격히 적어진 제품으로 디지털회로와 아날로그회로, 그리고 혼성신호회로의 고속동작 특성이 크게 개선될 것으로 기대하고 있다. 또 실리콘 기반의 초고속 나노집적회로에 대한 개발이 본격화될 것으로 전망하고 있다. SS-HMOS 트랜지스터 기술은 독일 다임러-크라이슬러와 미국의 IBM, Ibtel에 이어 ETRI가 개발함으로써 우리 나라는 세계 3번째의 SS-HMOS 트랜지스터 기술 보유국이 됐다. SS-HMOS 트랜지스터는 실리콘-게르마늄이라는 변형된 고속채널이 있어 전자와 정공이 움직이는 이동도를 3-10배 증가시켜 소자의 동작속도를 높이고, 전력소모를 절반 이하로 대폭 줄여 고밀도회로의 방열문제를 경감시키기 때문에 차세대 GSI(Gigabit Scale Integration)와 나노집적회로의 유력한 대안이 되고 있다. 특히, 고속 데이터 통신시스템의 신호전달에 대한 에러의 발생율을 1/100배로 줄일 수 있어 차세대의 테라-펜타(1초에 1-100조의 신호전달)급으로도 실리콘반도체를 중심으로 한 NT-IT 융합시대를 개척해갈 것으로 보인다. <Chemical Daily News 2002/10/17> |
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